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制造商产品编号:
NVF3055-100T1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVF3055-100T1G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述:
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
库存:
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12839499
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NVF3055-100T1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
455 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-223 (TO-261)
包装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
基本产品编号
NVF3055
数据表和文档
数据表
NVF3055-100T1G
HTML 数据表
NVF3055-100T1G-DG
附加信息
标准套餐
1,000
其他名称
NVF3055-100T1GOSTR
NVF3055-100T1G-DG
NVF3055-100T1GOSCT
NVF3055-100T1GOSDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
ZXMN6A11GTA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
1669
部件编号
ZXMN6A11GTA-DG
单价
0.22
替代类型
Similar
零件编号
NTF3055-100T1G
制造商
onsemi
可用数量
950
部件编号
NTF3055-100T1G-DG
单价
0.31
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
BSP320SH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
813
部件编号
BSP320SH6327XTSA1-DG
单价
0.23
替代类型
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零件编号
STN3NF06L
制造商
STMicroelectronics
可用数量
11330
部件编号
STN3NF06L-DG
单价
0.35
替代类型
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零件编号
ZXMS6006DGTA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
15779
部件编号
ZXMS6006DGTA-DG
单价
0.48
替代类型
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