制造商产品编号:
NVD5C632NLT4G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NVD5C632NLT4G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK
库存:
12857429
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NVD5C632NLT4G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
29A (Ta), 155A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
5700 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
4W (Ta), 115W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
NVD5C632
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
488-NVD5C632NLT4GCT
NVD5C632NLT4G-DG
488-NVD5C632NLT4GTR
488-NVD5C632NLT4GDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
NTMFS4H02NFT1G
MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
NTD4813N-1G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
IPD64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
