NVD4856NT4G
制造商产品编号:

NVD4856NT4G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NVD4856NT4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
详细描述:
N-Channel 25 V 13.3A (Ta), 89A (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DPAK

库存:

12857634
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

NVD4856NT4G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2241 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
NVD485

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
相关产品
onsemi

NTTFS4965NFTWG

MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN

onsemi

NVTFS4C06NWFTWG

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

onsemi

NTMFS4985NFT3G

MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN

infineon-technologies

IPB019N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK