NVD4808NT4G
制造商产品编号:

NVD4808NT4G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NVD4808NT4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
详细描述:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 63A (Tc) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Surface Mount DPAK

库存:

12857095
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

NVD4808NT4G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
10A (Ta), 63A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1538 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
NVD480

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRFR3707ZTRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
35271
部件编号
IRFR3707ZTRPBF-DG
单价
0.28
替代类型
Similar
零件编号
IPD30N03S4L09ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
48073
部件编号
IPD30N03S4L09ATMA1-DG
单价
0.31
替代类型
Similar
零件编号
IPD090N03LGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
94138
部件编号
IPD090N03LGATMA1-DG
单价
0.23
替代类型
Similar
零件编号
FDD8880
制造商
onsemi
可用数量
13967
部件编号
FDD8880-DG
单价
0.27
替代类型
Similar
零件编号
FDD6670A
制造商
onsemi
可用数量
11312
部件编号
FDD6670A-DG
单价
0.42
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

NTD4909NT4G

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK

onsemi

NVMFS5C450NWFAFT3G

MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN

renesas-electronics-america

RQA0005QXDQS#H1

MOSFET N-CH 16V 800MA UPAK

onsemi

TLC530TU

MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3