NTR1P02LT1G
制造商产品编号:

NTR1P02LT1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTR1P02LT1G-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
详细描述:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

库存:

1988 件 新原装 现货
12859380
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NTR1P02LT1G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.25V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Vgs (最大值)
±12V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 5 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
400mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
NTR1P02

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
NTR1P02LT1GOSCT
NTR1P02LT1GOSDKR
2156-NTR1P02LT1G-OS
NTR1P02LT1GOS-DG
NTR1P02LT1GOSTR
NTR1P02LT1GOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
NDS332P
制造商
onsemi
可用数量
63572
部件编号
NDS332P-DG
单价
0.12
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替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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