NTP60N06LG
制造商产品编号:

NTP60N06LG

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTP60N06LG-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:
N-Channel 60 V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220

库存:

12856699
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

NTP60N06LG 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
60A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±15V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
3075 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.4W (Ta), 150W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
NTP60N

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
2156-NTP60N06LG-ON
ONSONSNTP60N06LG
NTP60N06LGOS

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PSMN4R6-60PS,127
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
7843
部件编号
PSMN4R6-60PS,127-DG
单价
1.15
替代类型
Similar
零件编号
STP60NF06
制造商
STMicroelectronics
可用数量
938
部件编号
STP60NF06-DG
单价
0.66
替代类型
Direct
零件编号
STP55NF06L
制造商
STMicroelectronics
可用数量
855
部件编号
STP55NF06L-DG
单价
0.87
替代类型
Similar
零件编号
IRFZ44VPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
IRFZ44VPBF-DG
单价
0.51
替代类型
Similar
零件编号
RFP50N06
制造商
Harris Corporation
可用数量
665
部件编号
RFP50N06-DG
单价
1.00
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

SLC3012CMX

MOSFET N-CH

onsemi

RFP2N10L

MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3

onsemi

NTS2101PT1G

MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3

onsemi

NDS0610_NL

MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3