制造商产品编号:
NTMD6N02R2G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTMD6N02R2G-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
库存:
9878 件 新原装 现货
12848567
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NTMD6N02R2G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源电压 （Vdss）
20V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
20nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1100pF @ 16V
功率 - 最大值
730mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包
8-SOIC
基本产品编号
NTMD6
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
NTMD6N02R2GOS
NTMD6N02R2GOS-DG
NTMD6N02R2GOSCT
NTMD6N02R2GOSTR
Q8226483ZZZ
2156-NTMD6N02R2G-OS
NTMD6N02R2GOSDKR
ONSONSNTMD6N02R2G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
数字证书
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