制造商产品编号:
NTD4960N-1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTD4960N-1G-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK
详细描述:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta), 55A (Tc) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc) Through Hole IPAK
库存:
12841709
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NTD4960N-1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
30 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8.9A (Ta), 55A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
IPAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
NTD49
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
其他名称
NTD4960N-1GOS
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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