制造商产品编号:
NTD4857N-1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTD4857N-1G-DG
描述:
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
详细描述:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
库存:
12859860
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NTD4857N-1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
25 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1960 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
NTD48
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
其他名称
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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