NTD4857N-1G
制造商产品编号:

NTD4857N-1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTD4857N-1G-DG

描述:

MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
详细描述:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK

库存:

12859860
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NTD4857N-1G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 12 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
NTD48

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
75
其他名称
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PHT6NQ10T,135
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4949
部件编号
PHT6NQ10T,135-DG
单价
0.28
替代类型
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