制造商产品编号:
NTD18N06-1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTD18N06-1G-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole IPAK
库存:
12856258
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NTD18N06-1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
710 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 55W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
IPAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
NTD18
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
75
其他名称
2156-NTD18N06-1G-ON
ONSONSNTD18N06-1G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
IPD22N08S2L50ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5000
部件编号
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
单价
0.44
替代类型
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