NTBG028N170M1
制造商产品编号:

NTBG028N170M1

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTBG028N170M1-DG

描述:

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
详细描述:
N-Channel 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

库存:

795 件 新原装 现货
13002003
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NTBG028N170M1 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (Vdss)
1700 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
71A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.3V @ 20mA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 20 V
Vgs (最大值)
+25V, -15V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
4160 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
428W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK-7
包装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
基本产品编号
NTBG028

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
800
其他名称
488-NTBG028N170M1TR
488-NTBG028N170M1CT
488-NTBG028N170M1DKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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