NTB5605P
制造商产品编号:

NTB5605P

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTB5605P-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK

库存:

12921914
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NTB5605P 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
18.5A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
88W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
NTB56

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
SPB18P06PGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2030
部件编号
SPB18P06PGATMA1-DG
单价
0.44
替代类型
Similar
零件编号
IRF5210STRLPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
7933
部件编号
IRF5210STRLPBF-DG
单价
1.26
替代类型
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零件编号
RSJ250P10TL
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
1434
部件编号
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单价
1.21
替代类型
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