制造商产品编号:
NTB5605P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NTB5605P-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述:
P-Channel 60 V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
库存:
12921914
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NTB5605P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
18.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1190 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
88W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
NTB56
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
SPB18P06PGATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2030
部件编号
SPB18P06PGATMA1-DG
单价
0.44
替代类型
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