NTB45N06T4G
制造商产品编号:

NTB45N06T4G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NTB45N06T4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:
N-Channel 60 V 45A (Ta) 2.4W (Ta), 125W (Tj) Surface Mount D2PAK

库存:

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NTB45N06T4G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
45A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1725 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta), 125W (Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
D2PAK
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
NTB45

数据表和文档

数据表
NTB45N06T4G
HTML 数据表
NTB45N06T4G-DG

附加信息

标准套餐
800
其他名称
NTB45N06T4GOSTR
NTB45N06T4GOS
NTB45N06T4GOSDKR
NTB45N06T4GOSCT
NTB45N06T4GOS-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
PHB47NQ10T,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
16433
部件编号
PHB47NQ10T,118-DG
单价
0.72
替代类型
Direct
零件编号
STB55NF06LT4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
330
部件编号
STB55NF06LT4-DG
单价
0.71
替代类型
Similar
零件编号
STB45NF06T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STB45NF06T4-DG
单价
0.64
替代类型
Direct
零件编号
HUF76429S3ST
制造商
onsemi
可用数量
1520
部件编号
HUF76429S3ST-DG
单价
0.75
替代类型
Direct
零件编号
STB55NF06T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
0
部件编号
STB55NF06T4-DG
单价
0.99
替代类型
Similar
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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