NSVT65010MW6T1G
制造商产品编号:

NSVT65010MW6T1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NSVT65010MW6T1G-DG

描述:

TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

库存:

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NSVT65010MW6T1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
65V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
15nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
220 @ 2mA, 5V
功率 - 最大值
380mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NSVT65010

数据表和文档

数据表
NSVT65010MW6T1G
HTML 数据表
NSVT65010MW6T1G-DG

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
NSVT65010MW6T1GOSTR
NSVT65010MW6T1GOSCT
NSVT65010MW6T1GOSDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
BC856S,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
96598
部件编号
BC856S,115-DG
单价
0.02
替代类型
Similar
零件编号
BC856ASQ-7-F
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
2478
部件编号
BC856ASQ-7-F-DG
单价
0.03
替代类型
Similar
零件编号
BC856S,125
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
0
部件编号
BC856S,125-DG
单价
0.02
替代类型
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零件编号
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可用数量
2970
部件编号
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单价
0.03
替代类型
Similar
零件编号
BC856BS,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
5366
部件编号
BC856BS,115-DG
单价
0.03
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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