制造商产品编号:
NSVB114YPDXV6T1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NSVB114YPDXV6T1G-DG
描述:
TRANS BRT 50V 100MA SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
库存:
12855887
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NSVB114YPDXV6T1G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
NSVB11
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
4,000
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
RN4987FE,LF(CT
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
3442
部件编号
RN4987FE,LF(CT-DG
单价
0.02
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