NSV30100LT1G
制造商产品编号:

NSV30100LT1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NSV30100LT1G-DG

描述:

NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 1 A 100MHz 710 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

库存:

33000 件 新原装 现货
12996909
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NSV30100LT1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
30 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
650mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
710 mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3 (TO-236)

数据表和文档

数据表

附加信息

标准套餐
1,781
其他名称
2156-NSV30100LT1G-488

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
Vendor Undefined
REACH 状态
Vendor Undefined
数字证书
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