NSS60601MZ4T3G
制造商产品编号:

NSS60601MZ4T3G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NSS60601MZ4T3G-DG

描述:

TRANS NPN 60V 6A SOT223
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 100MHz 800 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)

库存:

2822 件 新原装 现货
12858252
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

NSS60601MZ4T3G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
6 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
60 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 600mA, 6A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 2V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商设备包
SOT-223 (TO-261)
基本产品编号
NSS60601

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
4,000
其他名称
NSS60601MZ4T3GOSDKR
NSS60601MZ4T3GOSTR
NSS60601MZ4T3GOSCT
NSS60601MZ4T3G-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
DSS60601MZ4-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
46744
部件编号
DSS60601MZ4-13-DG
单价
0.12
替代类型
Direct
零件编号
NSV60601MZ4T1G
制造商
onsemi
可用数量
819
部件编号
NSV60601MZ4T1G-DG
单价
0.18
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
NSS60601MZ4T1G
制造商
onsemi
可用数量
19187
部件编号
NSS60601MZ4T1G-DG
单价
0.18
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
BCP55TA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
19711
部件编号
BCP55TA-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
ZXTN2010GTA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
5166
部件编号
ZXTN2010GTA-DG
单价
0.29
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

NJVMJD44H11T4G

TRANS NPN 80V 8A DPAK

infineon-technologies

BC857BE6433HTMA1

TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23

onsemi

TN3019A

TRANS NPN 80V 1A TO226-3

onsemi

TIP32CG

TRANS PNP 100V 3A TO220