NSBA114EDXV6T5G
制造商产品编号:

NSBA114EDXV6T5G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NSBA114EDXV6T5G-DG

描述:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

库存:

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NSBA114EDXV6T5G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 双极晶体管阵列，预偏置
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基座 （R1）
10kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
10kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 过渡
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-563, SOT-666
供应商设备包
SOT-563
基本产品编号
NSBA114

附加信息

标准套餐
8,000
其他名称
2156-NSBA114EDXV6T5G-ONTR
ONSONSNSBA114EDXV6T5G
NSBA114EDXV6T5GOS

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
DDA143TH-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
2850
部件编号
DDA143TH-7-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
PEMB11,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
8520
部件编号
PEMB11,115-DG
单价
0.07
替代类型
Direct
零件编号
NSBA114EDXV6T1G
制造商
onsemi
可用数量
4000
部件编号
NSBA114EDXV6T1G-DG
单价
0.05
替代类型
Similar
零件编号
EMB11T2R
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
30713
部件编号
EMB11T2R-DG
单价
0.08
替代类型
Similar
零件编号
DDA114TH-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
5848
部件编号
DDA114TH-7-DG
单价
0.10
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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