制造商产品编号:
NJW21193G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NJW21193G-DG
描述:
TRANS PNP 250V 16A TO3P-3L
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L
库存:
6 件 新原装 现货
12859205
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NJW21193G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tube
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
16 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
250 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
4V @ 3.2A, 16A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
20 @ 8A, 5V
功率 - 最大值
200 W
频率 - 过渡
4MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包
TO-3P-3L
基本产品编号
NJW21193
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
NJW21193G-DG
NJW21193GOS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
2SA1943N(S1,E,S)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
55
部件编号
2SA1943N(S1,E,S)-DG
单价
0.96
替代类型
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