制造商产品编号:
NDS356P
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NDS356P-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
详细描述:
P-Channel 20 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
12858130
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NDS356P 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.1A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±12V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
180 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
NDS356
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
NDS356PCT
NDS356PCT-NDR
NDS356PTR-NDR
NDS356PTR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
IRLML6302TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
239189
部件编号
IRLML6302TRPBF-DG
单价
0.08
替代类型
Similar
零件编号
IRLML6402TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
140356
部件编号
IRLML6402TRPBF-DG
单价
0.09
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
NTMFS4H01NT3G
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
NTGD3147FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP