NDS352P
制造商产品编号:

NDS352P

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

NDS352P-DG

描述:

MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
详细描述:
P-Channel 20 V 850mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

库存:

12857804
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NDS352P 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
850mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±12V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
125 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
500mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
NDS352

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
NDS352PTR-NDR
NDS352PTR
NDS352PCT
NDS352PCT-NDR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
NTR1P02LT3G
制造商
onsemi
可用数量
19457
部件编号
NTR1P02LT3G-DG
单价
0.06
替代类型
Similar
零件编号
NTR0202PLT1G
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onsemi
可用数量
20463
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NTR0202PLT1G-DG
单价
0.08
替代类型
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零件编号
FDN352AP
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
12000
部件编号
FDN352AP-DG
单价
0.13
替代类型
Direct
数字证书
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