制造商产品编号:
NDD01N60-1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
NDD01N60-1G-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 1.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole I-Pak
库存:
12843300
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
NDD01N60-1G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.7V @ 50µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
160 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
46W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
I-PAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
NDD01
数据表和文档
附加信息
标准套餐
75
其他名称
2156-NDD01N60-1G-ON
ONSONSNDD01N60-1G
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TSM1NB60CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
0
部件编号
TSM1NB60CH C5G-DG
单价
0.21
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
NTMFS4845NT3G
MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
NTMFS4841NHT3G
MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
NVMFS5C450NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
