制造商产品编号:
MUN5233T1G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MUN5233T1G-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
库存:
1765 件 新原装 现货
12853999
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MUN5233T1G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极型预偏置双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基座 （R1）
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基极 （R2）
47 kOhms
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
202 mW
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SC-70, SOT-323
供应商设备包
SC-70-3 (SOT323)
基本产品编号
MUN5233
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
MUN5233T1GOSCT
MUN5233T1GOSDKR
MUN5233T1G-DG
MUN5233T1GOSTR
ONSONSMUN5233T1G
2156-MUN5233T1G-OS
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
RN1306,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
2499
部件编号
RN1306,LF-DG
单价
0.02
替代类型
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