MTD6N20ET4G
制造商产品编号:

MTD6N20ET4G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MTD6N20ET4G-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:
N-Channel 200 V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK

库存:

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MTD6N20ET4G 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
480 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.75W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
DPAK
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
MTD6N

数据表和文档

数据表
MTD6N20E

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
MTD6N20ET4GOS-DG
MTD6N20ET4GOSCT
MTD6N20ET4GOSTR
MTD6N20ET4GOS
MTD6N20ET4GOSDKR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FQD16N25CTM
制造商
onsemi
可用数量
33677
部件编号
FQD16N25CTM-DG
单价
0.40
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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