制造商产品编号:
MMBTH10
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MMBTH10-DG
描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
详细描述:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
库存:
12847454
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MMBTH10 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极射频晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
25V
频率 - 过渡
650MHz
噪声系数 （dB Typ @ f）
-
获得
-
功率 - 最大值
225mW
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
60 @ 4mA, 10V
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
50mA
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
MMBTH10
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
MMBTH10FSDKR
2156-MMBTH10-ONTR-DG
ONSFSCMMBTH10
2156-MMBTH10
MMBTH10FSCT
MMBTH10FSTR
MMBTH10FSTR-NDR
MMBTH10FSCT-NDR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
零件编号
BFR181WH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
38142
部件编号
BFR181WH6327XTSA1-DG
单价
0.04
替代类型
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