MJE181G
制造商产品编号:

MJE181G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MJE181G-DG

描述:

TRANS NPN 60V 3A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126

库存:

408 件 新原装 现货
12853178
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MJE181G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Bulk
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
3 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
60 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
功率 - 最大值
1.5 W
频率 - 过渡
50MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
基本产品编号
MJE181

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
500
其他名称
ONSONSMJE181G
2156-MJE181G-OS
2832-MJE181G
MJE181GOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
MJE181STU
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
4017
部件编号
MJE181STU-DG
单价
0.20
替代类型
Direct
数字证书
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