制造商产品编号:
MJE180PWD
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MJE180PWD-DG
描述:
TRANS NPN 40V 3A TO126
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
库存:
12851428
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MJE180PWD 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
3 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
40 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.7V @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
50 @ 100mA, 1V
功率 - 最大值
1.5 W
频率 - 过渡
50MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126
基本产品编号
MJE180
附加信息
标准套餐
1
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
替代模型
零件编号
MJE180 PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
1112
部件编号
MJE180 PBFREE-DG
单价
0.84
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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