MJD31C1G
制造商产品编号:

MJD31C1G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MJD31C1G-DG

描述:

TRANS NPN 100V 3A IPAK
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole I-PAK

库存:

12854350
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MJD31C1G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
3 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
100 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值)
50µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
功率 - 最大值
1.56 W
频率 - 过渡
3MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包
I-PAK
基本产品编号
MJD31

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
75
其他名称
MJD31C1G-DG
MJD31C1GOS

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
MJD31CT4G
制造商
onsemi
可用数量
2090
部件编号
MJD31CT4G-DG
单价
0.16
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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