制造商产品编号:
MJ11012G
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
MJ11012G-DG
描述:
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
库存:
32 件 新原装 现货
12850432
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MJ11012G 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
Tray
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
NPN - Darlington
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
30 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
60 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
4V @ 300mA, 30A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
1000 @ 20A, 5V
功率 - 最大值
200 W
频率 - 过渡
4MHz
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-204AA, TO-3
供应商设备包
TO-204 (TO-3)
基本产品编号
MJ11012
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
100
其他名称
MJ11012G-DG
ONSONSMJ11012G
2156-MJ11012G-OS
MJ11012GOS
2832-MJ11012G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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