MBT35200MT2G
制造商产品编号:

MBT35200MT2G

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

MBT35200MT2G-DG

描述:

TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP

库存:

12855044
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MBT35200MT2G 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
2 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
35 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
100MHz
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包
6-TSOP
基本产品编号
MBT35200

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
ONSONSMBT35200MT2G
2156-MBT35200MT2G-ONTR

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
SNSS35200MR6T1G
制造商
onsemi
可用数量
3000
部件编号
SNSS35200MR6T1G-DG
单价
0.18
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
MBT35200MT1G
制造商
onsemi
可用数量
2906
部件编号
MBT35200MT1G-DG
单价
0.12
替代类型
Direct
零件编号
NSS35200MR6T1G
制造商
onsemi
可用数量
3547
部件编号
NSS35200MR6T1G-DG
单价
0.16
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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