KSE802STU
制造商产品编号:

KSE802STU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

KSE802STU-DG

描述:

TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3

库存:

12936074
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KSE802STU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN - Darlington
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
4 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大值)
100µA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
功率 - 最大值
40 W
频率 - 过渡
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-225AA, TO-126-3
供应商设备包
TO-126-3
基本产品编号
KSE80

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,920

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
BD679
制造商
STMicroelectronics
可用数量
5225
部件编号
BD679-DG
单价
0.14
替代类型
Direct
零件编号
BD679A
制造商
STMicroelectronics
可用数量
1127
部件编号
BD679A-DG
单价
0.27
替代类型
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