KSD526O
制造商产品编号:

KSD526O

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

KSD526O-DG

描述:

TRANS NPN 80V 4A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 30 W Through Hole TO-220-3

库存:

12850895
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KSD526O 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
4 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
80 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值)
30µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
功率 - 最大值
30 W
频率 - 过渡
8MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
KSD526

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
200

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
2N6123 PBFREE
制造商
Central Semiconductor Corp
可用数量
449
部件编号
2N6123 PBFREE-DG
单价
1.30
替代类型
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