制造商产品编号:
KSD363YTU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
KSD363YTU-DG
描述:
TRANS NPN 120V 6A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3
库存:
12852833
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KSD363YTU 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Last Time Buy
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
6 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
120 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1V @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA (ICBO)
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
40 W
频率 - 过渡
10MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
KSD363
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
2832-KSD363YTU
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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