KSD363YTU
制造商产品编号:

KSD363YTU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

KSD363YTU-DG

描述:

TRANS NPN 120V 6A TO220-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3

库存:

12852833
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KSD363YTU 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Last Time Buy
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
6 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
120 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
功率 - 最大值
40 W
频率 - 过渡
10MHz
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-220-3
供应商设备包
TO-220-3
基本产品编号
KSD363

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
50
其他名称
2832-KSD363YTU

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
TIP41C
制造商
NTE Electronics, Inc
可用数量
49
部件编号
TIP41C-DG
单价
0.80
替代类型
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