制造商产品编号:
HUFA75639S3ST-F085A
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
HUFA75639S3ST-F085A-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12846792
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HUFA75639S3ST-F085A 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UltraFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
56A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
200W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
HUFA75
数据表和文档
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
HUFA75639S3ST_F085ACT-DG
HUFA75639S3ST-F085ACT
HUFA75639S3ST-F085ADKR
HUFA75639S3ST-F085ATR
HUFA75639S3ST_F085A
HUFA75639S3ST_F085ADKR-DG
HUFA75639S3ST_F085ADKR
HUFA75639S3ST_F085ACT
HUFA75639S3ST_F085ATR-DG
HUFA75639S3ST_F085ATR
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
HUF75639S3ST
制造商
Fairchild Semiconductor
可用数量
8245
部件编号
HUF75639S3ST-DG
单价
1.19
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
IPB35N10S3L26ATMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
5487
部件编号
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
单价
0.81
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