HUF75631P3
制造商产品编号:

HUF75631P3

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

HUF75631P3-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
详细描述:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3

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HUF75631P3 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
UltraFET™
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
100 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
33A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
120W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
HUF75

附加信息

标准套餐
400

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FQP44N10
制造商
onsemi
可用数量
2393
部件编号
FQP44N10-DG
单价
0.76
替代类型
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单价
1.44
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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