制造商产品编号:
FQU11P06TU
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQU11P06TU-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole IPAK
库存:
12838634
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQU11P06TU 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
9.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
IPAK
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
FQU11P06
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
70
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
FQPF5P20
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
FDMS86381-F085
MOSFET N-CH 80V 30A POWER56
FDD6682
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK