制造商产品编号:
FQPF7N65C
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQPF7N65C-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
详细描述:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
库存:
12838327
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQPF7N65C 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
650 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
52W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FQPF7
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
488-FQPF7N65C
2156-FQPF7N65C-OS
ONSONSFQPF7N65C
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK5A65D(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
40
部件编号
TK5A65D(STA4,Q,M)-DG
单价
0.61
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FQB12N60TM_AM002
MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK
FQP22P10
MOSFET P-CH 100V 22A TO220-3
HUFA75307T3ST
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
