制造商产品编号:
FQPF4N90
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQPF4N90-DG
描述:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
详细描述:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
库存:
12930482
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FQPF4N90 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
900 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
47W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220F-3
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
FQPF4
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
1,000
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
2SK3798(STA4,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
0
部件编号
2SK3798(STA4,Q,M)-DG
单价
0.51
替代类型
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零件编号
2SK3566(STA4,Q,M)
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Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
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部件编号
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单价
0.55
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