FQP7N20
制造商产品编号:

FQP7N20

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQP7N20-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 6.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

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FQP7N20 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
200 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
6.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
63W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FQP7

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRF630
制造商
Harris Corporation
可用数量
11535
部件编号
IRF630-DG
单价
0.80
替代类型
Similar
零件编号
RCX080N25
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
246
部件编号
RCX080N25-DG
单价
0.43
替代类型
Direct
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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