FQP10N20
制造商产品编号:

FQP10N20

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQP10N20-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3

库存:

12846582
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FQP10N20 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
87W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
FQP1

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
RCX100N25
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
429
部件编号
RCX100N25-DG
单价
0.86
替代类型
Direct
零件编号
IRF630
制造商
Harris Corporation
可用数量
11535
部件编号
IRF630-DG
单价
0.80
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可用数量
5461
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单价
0.51
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