FQI1P50TU
制造商产品编号:

FQI1P50TU

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQI1P50TU-DG

描述:

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
详细描述:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

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FQI1P50TU 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
500 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
350 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 63W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-262 (I2PAK)
包装 / 外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本产品编号
FQI1

附加信息

标准套餐
1,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRF9Z14LPBF
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
0
部件编号
IRF9Z14LPBF-DG
单价
0.69
替代类型
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数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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