FQD9N08TM
制造商产品编号:

FQD9N08TM

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQD9N08TM-DG

描述:

MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
详细描述:
N-Channel 80 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

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FQD9N08TM 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
80 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD9

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRFR120TRPBF
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
2529
部件编号
IRFR120TRPBF-DG
单价
0.54
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