FQD6N60CTM
制造商产品编号:

FQD6N60CTM

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQD6N60CTM-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

12846670
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FQD6N60CTM 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
80W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD6

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STD3N62K3
制造商
STMicroelectronics
可用数量
3586
部件编号
STD3N62K3-DG
单价
0.36
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