制造商产品编号:
FQD4N50TF
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQD4N50TF-DG
描述:
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
详细描述:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12838869
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQD4N50TF 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
500 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
2.6A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
460 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD4
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
2,000
环境与出口分类
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TK3P50D,RQ(S
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用数量
1899
部件编号
TK3P50D,RQ(S-DG
单价
0.40
替代类型
Similar
零件编号
IPD50R3K0CEAUMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
15854
部件编号
IPD50R3K0CEAUMA1-DG
单价
0.14
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FCPF11N65_G
INTEGRATED CIRCUIT
FQA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P