制造商产品编号:
FQD2N60CTM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQD2N60CTM-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
库存:
12934284
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FQD2N60CTM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
1.9A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
235 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD2N60
数据表和文档
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
FQD2N60CTMTR
FQD2N60CTMDKR
FQD2N60CTMCT
FQD2N60CTM-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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