FQD11P06TF
制造商产品编号:

FQD11P06TF

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQD11P06TF-DG

描述:

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA

库存:

12849046
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FQD11P06TF 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
60 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-252AA
包装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本产品编号
FQD1

附加信息

标准套餐
2,000

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
FQD11P06TM
制造商
onsemi
可用数量
58874
部件编号
FQD11P06TM-DG
单价
0.38
替代类型
Parametric Equivalent
零件编号
IRLR9343TRPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
IRLR9343TRPBF-DG
单价
0.32
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可用数量
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单价
0.33
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