FQB55N10TM
制造商产品编号:

FQB55N10TM

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQB55N10TM-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

库存:

12836715
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FQB55N10TM 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±25V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FQB55N10

数据表和文档

附加信息

标准套餐
800
其他名称
2156-FQB55N10TM-OS
FQB55N10TMCT
FQB55N10TMTR
FQB55N10TMDKR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
STB80NF10T4
制造商
STMicroelectronics
可用数量
775
部件编号
STB80NF10T4-DG
单价
1.46
替代类型
Similar
零件编号
PHB27NQ10T,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
7068
部件编号
PHB27NQ10T,118-DG
单价
0.55
替代类型
Similar
零件编号
PSMN034-100BS,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
4605
部件编号
PSMN034-100BS,118-DG
单价
0.51
替代类型
Similar
零件编号
PSMN015-100B,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
2021
部件编号
PSMN015-100B,118-DG
单价
0.81
替代类型
Similar
零件编号
PSMN016-100BS,118
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
3321
部件编号
PSMN016-100BS,118-DG
单价
0.64
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
onsemi

FQB47P06TM-AM002

MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK

onsemi

IRF630BTSTU_FP001

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

onsemi

FQA6N80

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P

onsemi

FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC