制造商产品编号:
FQB11P06TM
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQB11P06TM-DG
描述:
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
库存:
12838306
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FQB11P06TM 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
11.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.13W (Ta), 53W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
TO-263 (D2PAK)
包装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本产品编号
FQB11P06
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
800
其他名称
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
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