制造商产品编号:
FQAF11N90C
Product Overview
制造商:
onsemi
零件编号:
FQAF11N90C-DG
描述:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
详细描述:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
库存:
12837294
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
FQAF11N90C 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Active
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
900 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
120W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3PF
包装 / 外壳
TO-3P-3 Full Pack
基本产品编号
FQAF11
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
30
其他名称
FQAF11N90CFS
FQAF11N90C-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
Not Applicable
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
数字证书
相关产品
AUIRF2907ZS7PTL
MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK
FDS4072N3
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
CPH6337-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6CPH
