FQA90N10V2
制造商产品编号:

FQA90N10V2

Product Overview

制造商:

onsemi

零件编号:

FQA90N10V2-DG

描述:

MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
详细描述:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P

库存:

12850229
请求报价
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
提交

FQA90N10V2 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
onsemi
包装
-
系列
QFET®
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
105A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
6150 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
330W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-3P
包装 / 外壳
TO-3P-3, SC-65-3
基本产品编号
FQA9

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
30

环境与出口分类

湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
IRFP4310ZPBF
制造商
Infineon Technologies
可用数量
1902
部件编号
IRFP4310ZPBF-DG
单价
2.10
替代类型
Similar
零件编号
2SK1317-E
制造商
Renesas Electronics Corporation
可用数量
5608
部件编号
2SK1317-E-DG
单价
3.29
替代类型
Similar
数字证书
相关产品
alpha-and-omega-semiconductor

AOT292L

MOSFET N-CH 100V 105A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOT500

MOSFET N-CH 33V 80A TO220

onsemi

FDD8444

MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF11N70

MOSFET N-CH 700V 11A TO262F